我国“半导体材料之母”
林兰英
（1918-2003）
所谓半导体，是指导电性能介于金属和绝缘体之间离子型导电的物质。用它制成的半导体二极管、三极管和集成电路等，是许多现代新科技不可缺少的主要部件。世界第一块半导体材料锗单晶，早在1948年已被美国的物理学家研制出来了，而中国半导体材料科学发展史的第一页，则是由林兰英来书写的。
抗争而来的求学机会
6岁的时候，林兰英便吵着要上学，但守旧的母亲却不允许。为了获得上学的机会，倔强的她把自己反锁在屋里，近三天不吃不喝，绝食相逼才得到母亲的应允，终于获得了和男孩子一样的学习机会。
虽然求学路上经历了很多磨难， 加上在学习之余还要承担繁重的家务劳动，但林兰英都克服坚持了下来。从初中到高中，12个学期她考了12个全年级第一。
1936年，她以优异的成绩考入福建协和大学数理系。毕业后，林兰英留校任教，1948年，作为交换留学生前往美国迪金森学院数学系留学。因为成绩优秀，林兰英很快受到数学系主任埃尔教授的器重，常常把自己编写的专著交给她，让她为书中的习题作解答。简洁的答案、奇特的思路让埃尔教授对她大加赞赏，“东方才女”的名声就这样流传开来。
获得数学学士学位后，鉴于人才难得，埃尔教授推荐她去芝加哥大学深造。但林兰英认为，贫穷落后的祖国，最为需要、最为适用的，还是物理。因此，她毅然放弃了在数学领域已经取得的成绩，于1949年进入宾夕法尼亚大学，开始了固体物理研究。
工作中的林兰英
1955年，林兰英的博士论文发表于美国最具权威的《理评论》杂志上，受到高度好评，她也因此成为宾夕法尼亚大学建校115年来的第一位中国博士，也是该校有史以来的第一位女博士。
报效祖国的赤子之心
博士毕业后，在导师的推荐下，林兰英受聘于索菲尼亚公司，任高级工程师，负责半导体科研工作。依靠林兰英杰出的科学分析指导，公司成功地造出了第一根硅单晶。不久，她又为公司申报了两项专利，公司三次提高她的年薪。
奖励、加薪接踵而来，林兰英却一刻也没有放下回国的念头。奈何出色的成绩令她在美国联邦调查局“榜上有名”，归国之路受到百般刁难。
1956年，在日内瓦会议上，中美达成协议：中方分批释放在朝鲜战场被俘的美军，而美方则允许部分留学生回中国。
消息传开，以“母亲重病”为由，林兰英提交了回国申请。提出辞职的时候，公司主管非常意外：“你回到历经战乱的中国，只会过一种大大低于美国生活水准的生活。”一对美籍华人朋友也专程赶来劝说，林兰英却斩钉截铁：“你要说服我不回国就像我要说服你回国一样是不可能的！”
1957春节，经历了联邦调查局的层层阻拦，林兰英踏上了祖国的土地。虽然她的积蓄全被美国当局扣押，回国后已经身无分文，但她还是毅然将自己冒险带回来的“药”——价值20多万元的500克锗单晶和100克硅单晶，无偿地赠给了中国科学院，成了我国半导体科学工作者求之不得的无价之宝。
回国后，她因急性腹膜炎被抬上手术台，周恩来总理指示：“只能治好，不能出任何意外。”林兰英泪光盈盈，更加坚定了报效祖国的决心。
林兰英十分爱国。20世纪80年代中期，林兰英去美国几所大学访问，向那里的中国留学生说了这样一段话：“不能用50年代的条件要求你们，因为时代不同了。但无论是50年代还是80年代，甚至是21世纪，有一个我们大家必须遵循的共同点，那就是凡是炎黄子孙，你应该把你的黄金时代贡献给祖国的科学事业。”
创造多个“新中国第一”
党和国家对回国的林兰英高度重视，安排她去中科院应用物理所工作。“我也有过思想斗争，我不是学半导体材料的，国外也没有这个专业，但为了填补我国半导体材料的空白，我还是服从了。”
在应用物理所，林兰英第一个目标就是：拉制出属于中国的第一根硅单晶。
当时新中国百废待兴，制取硅单晶最需要的保护气——氩气更是稀缺，这种气体国内不能生产，又被列在国外的禁运名单上。最终，林兰英想出了抽真空的方法，并且把她在美国发明的籽晶保护罩运用到制造过程中。1958年，在她的努力下，拉制出中国第一根硅单晶。不仅如此，北京电子管厂还利用她和同事们研制成功的锗单晶，制造出我国第一次向市场销售的半导体收音机。
此后，林兰英还在半导体材料研制方面，创造出许多个中国第一。
1961年，她主持设计的我国第一台开门式硅单晶炉研制成功，由于这种炉的技术先进，后来还远销多个国家；
1962年春，她成功拉制出我国第一根无位错硅单晶，其质量达到世界先进水平；
同年10月，研制出我国第一个砷化镓单晶样品，为1964年我国第一只砷化镓二极管激光器的问世准备了条件；
1981年，合作完成4千位、16千位大规模集成电路——硅栅MOS随机存储器的研制，因而获得中国科学院重大科技成果一等奖；
1987年，她在我国返回式卫星上成功进行生产我国第一根砷化镓晶体实验，这是世界上第一次利用太空材料制作成半导体器件；
1988年，林兰英再次问鼎太空，进行掺硅的砷化镓单晶太空生长试验，并用这种崭新的材料作“衬底”，制得室温连续相干双异质结激光器，最先证明了空间材料的可用性，这在国际同行中是首创。
晚年的林兰英
2003年3月4日下午1时36分，林兰英院士与世长辞，享年85岁。
终身未婚的林兰英，全部的精力和智慧都贡献给了科学，因而四次获中科院科技进步奖一等奖，两次获国家科技进步二、三等奖，1996年获何梁何利科技进步奖，1998年获霍英东成就奖。她身为巾帼，用心乃丈夫，有胆有识，敢打敢拼，她的丰功伟绩、赤子情怀，值得每一个中国人为之骄傲和自豪。
（莆田市纪委监委 供稿）
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